Esta tecnología es la implementación de Intel de la arquitectura de transistores conocida como Gate-All-Around (GAA), una evolución directa de los transistores FinFET utilizados hasta ahora en la mayoría de chips modernos. En lugar de tener una sola aleta vertical (fin) por donde fluye la corriente, el diseño RibbonFET utiliza múltiples canales apilados en forma de cintas o ribbons, completamente rodeados por la compuerta (gate). Este cambio permite un control eléctrico más preciso sobre el flujo de corriente y una reducción sustancial de las fugas energéticas.


Ventajas frente a FinFET

El diseño RibbonFET ofrece una eficiencia significativamente mayor al permitir transistores más pequeños sin sacrificar rendimiento. Al envolver completamente el canal con la compuerta, se logra un control más estable de la corriente, reduciendo la disipación térmica y las pérdidas energéticas. Además, los canales apilados facilitan una mayor densidad de transistores en el mismo espacio físico, lo que se traduce en más potencia de cómputo por milímetro cuadrado de silicio.

Impacto en el rendimiento y la eficiencia

RibbonFET no solo mejora la eficiencia energética, sino también la capacidad de operar a mayores frecuencias sin sobrecalentamiento. Esta tecnología prepara el camino para nodos más pequeños y para una integración más avanzada con arquitecturas complementarias como PowerVia, que optimiza la entrega de energía desde la parte posterior del chip. En conjunto, estas innovaciones refuerzan la estrategia de Intel para competir con los avances de TSMC y Samsung en procesos sub-nanométricos.

Con tantos canales diminutos fluyendo dentro del silicio, parece que los chips del futuro tendrán más tráfico interno que las autopistas en hora punta.