KIOXIA y Sandisk presentan una memoria flash 3D que vuela

[3dpoder]

KIOXIA Corporation y Sandisk Corporation han anunciado una innovadora tecnología de memoria flash 3D de última generación, estableciendo un nuevo estándar en cuanto a velocidad, eficiencia energética y densidad de bits. La tecnología, presentada en el ISSCC de 2025, ofrece una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s, lo que representa una mejora significativa respecto a las generaciones anteriores de memoria flash 3D.

Un salto significativo en la velocidad y eficiencia energética

La nueva memoria flash 3D alcanza una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s, lo que representa un aumento del 33 por ciento en comparación con la octava generación de memoria flash 3D. Además, la eficiencia energética ha sido optimizada, logrando una reducción del 10 por ciento en el consumo de energía durante la entrada de datos y un 34 por ciento en la salida, equilibrando así el alto rendimiento con un menor consumo energético.

Tecnología avanzada que impulsa la densidad de bits

La nueva memoria flash 3D de KIOXIA y Sandisk se beneficia de una arquitectura de 332 capas de memoria, lo que mejora la densidad de bits en un 59 por ciento. Este avance permite un mayor almacenamiento en menor espacio, optimizando las capacidades de los dispositivos y ofreciendo soluciones de almacenamiento más eficientes para las crecientes demandas del sector.

Innovación para la próxima generación de aplicaciones IA

Axel Stoermann, vicepresidente y director de tecnología de KIOXIA Europe GmbH, destacó que el aumento de la demanda de almacenamiento se debe al crecimiento de las aplicaciones basadas en inteligencia artificial (IA), como la inferencia en el borde y el aprendizaje por transferencia. KIOXIA sigue desarrollando soluciones de almacenamiento capaces de soportar las altas demandas de velocidad, capacidad y eficiencia energética de estas aplicaciones avanzadas.

La visión a futuro de KIOXIA y Sandisk

Ambas compañías han asegurado que, además de la memoria flash 3D de 10ª generación, están trabajando en la próxima memoria flash 3D de 9ª generación. Gracias a la tecnología CBA, que combina CMOS con celdas de memoria existentes, se podrán desarrollar productos con bajo consumo de energía, alto rendimiento y eficiencia de capital. Estas soluciones avanzadas continúan posicionando a KIOXIA y Sandisk como líderes en la innovación de tecnologías de memoria flash, adaptándose a las necesidades de los clientes y contribuyendo al progreso de la sociedad digital.

[Forense 3D]

La gestión térmica crítica se convierte en un problema inmediato con estas densidades y velocidades.

El calor concentrado acelera la degradación de las celdas y, sin un disipador activo de alta calidad, se activarán rápidamente los mecanismos de throttling térmico, anulando cualquier ganancia de rendimiento en usos sostenidos.

La compatibilidad real del controlador es una barrera frecuente.

Aunque la interfaz NAND sea más rápida, su rendimiento máximo depende de que el controlador de almacenamiento del sistema soporte ese ancho de banda.

En muchas placas base, el cuello de botella del bus] impedirá alcanzar las velocidades teóricas anunciadas.

La duración útil comprometida es una consecuencia directa.

Aumentar la densidad de bits y la velocidad de programación/borrado suele elevar el estres celular], lo que puede reducir la resistencia a los ciclos P/E y afectar la retención de datos a largo plazo, especialmente en entornos con alta temperatura de trabajo.