Samsung разработала первый в мире прототип флэш-памяти 3D NAND с 900 слоями, значительно опередив конкурентов. Ключевым элементом является технология Cell Multi-Bonding (CMB), которая соединяет две пластины по 450 слоев для удвоения плотности. Это снижает энергопотребление и приносит пользу приложениям искусственного интеллекта, где производительность и эффективность критически важны.
CMB: две пластины, соединенные для удвоения плотности 🚀
Техника CMB от Samsung позволяет вертикально укладывать ячейки памяти без необходимости увеличения высоты чипа. Соединяя две независимые пластины по 450 слоев, достигается общее количество в 900 функциональных слоев. Это достижение превосходит 321 слой от SK hynix и готовится к массовому производству 400-слойных чипов. Тем временем китайская YMTC сокращает свое техническое отставание, но все еще далека от этой вехи. Samsung была пионером в 2013 году, выпустив первые 3D V-NAND.
YMTC смотрит на 900 слоев снизу вверх, но без паники 😅
С 900 слоями Samsung построила башню памяти, которая заставила бы побледнеть любой небоскреб. Тем временем YMTC продолжает укладывать слои, словно строя карточный домик при встречном ветре. SK hynix, в свою очередь, наверное, задается вопросом, не был ли их рекорд в 321 слой миражом. По крайней мере, Samsung не заявила, что эти 900 слоев можно использовать для приготовления сэндвича, хотя технически это было бы возможно.