Samsung ha desarrollado el primer prototipo mundial de memoria flash 3D NAND con 900 capas, superando ampliamente a la competencia. La clave está en su tecnología Cell Multi-Bonding (CMB), que une dos obleas de 450 capas para duplicar la densidad. Esto reduce el consumo energético y beneficia a aplicaciones de inteligencia artificial, donde el rendimiento y la eficiencia son críticos.
CMB: dos obleas unidas para duplicar la densidad 🚀
La técnica CMB de Samsung permite apilar verticalmente células de memoria sin necesidad de aumentar la altura del chip. Al unir dos obleas independientes de 450 capas, se logra un total de 900 capas funcionales. Este avance supera las 321 capas de SK hynix y se prepara para producción masiva de 400 capas. Mientras tanto, la china YMTC reduce su desventaja técnica, pero aún lejos de este hito. Samsung fue pionera en 2013 con los primeros 3D V-NAND.
YMTC mira las 900 capas desde abajo, pero sin despeinarse 😅
Con 900 capas, Samsung ha construido una torre de memoria que haría palidecer a cualquier rascacielos. Mientras, YMTC sigue apilando capas como quien hace una torre de naipes con viento en contra. SK hynix, por su parte, debe estar preguntándose si su récord de 321 capas fue un espejismo. Al menos, Samsung no ha dicho que estas 900 capas sirvan para hacer un sándwich, aunque técnicamente podrían.