Компания IBM представила прототип чипа размером с ноготь, который объединяет почти 100 миллиардов транзисторов. Ключевая особенность заключается в технологии 3D-укладки, которая размещает два слоя кремния один поверх другого. Такая конструкция обещает на 70% большую энергоэффективность и на 50% более высокую производительность по сравнению с современными чипами, хотя её появление в коммерческих устройствах ожидается примерно через десять лет.
Два слоя кремния для удвоения производительности 🚀
Прорыв основан на вертикальной интеграции транзисторов с помощью технологии VTFET (вертикальный полевой транзистор с переносом заряда). При укладке двух слоев кремния электроны движутся вертикально, сокращая путь и энергопотребление. Это позволяет разместить больше транзисторов без увеличения площади чипа, достигая плотности, недоступной современным плоским методам. Процесс требует передовой литографии и новых материалов, что объясняет длительный срок разработки.
Ваш мобильный телефон через десять лет: тот же размер, больше автономности 🔋
То есть, через десять лет аккумулятор вашего телефона сможет работать полтора дня вместо одного. Настоящий прогресс. А пока инженеры IBM будут продолжать укладывать кремний, словно башни из Lego, а мы всё так же будем ставить телефон на зарядку в шесть вечера. Но, эй, по крайней мере, будущее обещает, что вам не придётся так часто искать розетку.