ASML сообщила о ключевом прогрессе в своих системах литографии для полупроводников. Мощность источника света экстремального ультрафиолета (EUV) достигла 1000 ватт. Этот скачок позволяет обрабатывать около 330 кремниевых пластин в час, что снижает стоимость производства чипов. Компания прогнозирует, что этот прорыв повысит производительность своих сканеров на 50% к 2030 году.
Техническое масштабирование и путь к 2000 ваттам ⚡
Увеличение до 1000 ватт сосредоточено на источнике света, где генерируется плазма олова при воздействии лазера высокой мощности. Стабильность этого процесса определяет производительность. Инженеры ASML указывают, что нет фундаментальных технических барьеров, которые препятствовали бы дальнейшему масштабированию этой мощности. Путь свободен для удвоения показателя, достигнув 2000 ватт в будущих итерациях, что приведет к новым увеличениям производительности.
Наш роутер 2015 года не заметит разницы 😅
С таким темпом, когда они достигнут 2000 ватт, возможно, мы сможем напечатать чип, который запустит Windows 11 без того, чтобы вентилятор звучал как реактор термоядерного синтеза. Тем временем наши повседневные устройства продолжат находить способ зависнуть с тремя открытыми вкладками браузера. Утешительно знать, что передний край производства продвигается вперед, хотя наш умный термостат все еще требует ручного перезапуска каждые два дня.