ASML alcanza los 1000 vatios en su fuente de luz EUV para litografía 🔬

ASML ha comunicado un progreso clave en sus sistemas de litografía para semiconductores. La potencia de la fuente de luz ultravioleta extrema (EUV) ha llegado a los 1000 vatios. Este salto permite procesar cerca de 330 obleas de silicio cada hora, un dato que reduce el coste de fabricación de chips. La empresa proyecta que este avance impulse la productividad de sus escáneres en un 50% para 2030.

Una fuente de luz EUV de alta potencia ilumina una oblea de silicio en una cámara de vacío, con gráficos de rendimiento superpuestos.

Escalado técnico y la ruta hacia los 2000 vatios ⚡

El incremento a 1000 vatios se centra en la fuente de luz, donde se genera el plasma de estaño al ser impactado por un láser de alta potencia. La estabilidad de este proceso es determinante para el rendimiento. Los ingenieros de ASML indican que no hay barreras técnicas fundamentales que impidan seguir escalando esta potencia. El camino está despejado para duplicar la cifra, llegando a los 2000 vatios en futuras iteraciones, lo que supondría nuevos aumentos en la productividad.

Nuestro router de 2015 no notará la diferencia 😅

Con este ritmo, para cuando logren los 2000 vatios, quizás podamos imprimir un chip que ejecute Windows 11 sin que el ventilador suene como un reactor de fusión. Mientras tanto, nuestros dispositivos cotidianos seguirán encontrando la forma de saturarse con tres pestañas del navegador abiertas. Es reconfortante saber que la vanguardia de la fabricación avanza, aunque nuestro termostato inteligente siga necesitando un reinicio manual cada dos días.