삼성, 신기술로 삼차원 낸드 메모리 층수 구백 단 돌파

삼성전자는 900층의 세계 최초 3D NAND 플래시 메모리 프로토타입을 개발하여 경쟁사를 크게 앞질렀습니다. 핵심은 두 개의 450층 웨이퍼를 결합하여 밀도를 두 배로 높이는 셀 멀티 본딩(CMB) 기술에 있습니다. 이는 전력 소비를 줄이고 성능과 효율성이 중요한 인공지능 애플리케이션에 이점을 제공합니다.

Samsung semiconductor cleanroom, two silicon wafers with 450 layers each being precisely aligned and bonded together by laser-guided robotic arms, forming a unified 900-layer 3D NAND stack, microscopic cell structures glowing with electric blue energy traces, AI data streams flowing between stacked memory planes, ultra-smooth wafer surfaces reflecting amber cleanroom lights, engineering visualization style, photorealistic technical render, dramatic side-lighting emphasizing vertical layer density, metallic precision tools in foreground, motion freeze during the bonding action

CMB: 두 개의 웨이퍼를 결합하여 밀도 두 배로 🚀

삼성의 CMB 기술은 칩 높이를 늘리지 않고도 메모리 셀을 수직으로 적층할 수 있게 해줍니다. 각각 450층인 두 개의 독립적인 웨이퍼를 결합하여 총 900개의 기능성 층을 구현합니다. 이 발전은 SK하이닉스의 321층을 뛰어넘으며 400층 양산을 준비하고 있습니다. 한편, 중국의 YMTC는 기술적 격차를 줄이고 있지만 이 이정표에는 아직 멀었습니다. 삼성은 2013년 최초의 3D V-NAND로 선구자 역할을 했습니다.

YMTC, 900층을 아래서 바라보지만 당황하지 않음 😅

900층으로 삼성은 어떤 마천루도 창백하게 만들 메모리 타워를 구축했습니다. 반면 YMTC는 역풍을 맞으며 카드 탑을 쌓듯 층을 계속 쌓아 올리고 있습니다. SK하이닉스는 321층 기록이 신기루였는지 궁금해하고 있을 것입니다. 적어도 삼성은 이 900층이 샌드위치를 만드는 데 사용된다고 말하지는 않았지만, 기술적으로는 가능할 수도 있습니다.