IBM이 손톱 크기의 칩 프로토타입을 공개했으며, 여기에는 약 1,000억 개의 트랜지스터가 집적되어 있습니다. 핵심은 실리콘 층 두 개를 서로 쌓아 올리는 3D 적층 기술입니다. 이 설계는 기존 칩보다 에너지 효율을 70% 높이고 성능을 50% 향상시킬 것으로 기대되지만, 상용 기기에 적용되기까지는 약 10년이 걸릴 것으로 예상됩니다.
성능을 두 배로 높이는 두 개의 실리콘 층 🚀
이번 진전은 VTFET(수직 전계 효과 트랜지스터) 기술을 통한 트랜지스터의 수직 집적에 기반합니다. 두 개의 실리콘 층을 쌓아 올리면 전자가 수직으로 이동하여 이동 거리와 에너지 소비를 줄입니다. 이를 통해 칩 면적을 늘리지 않고도 더 많은 트랜지스터를 패키징할 수 있어, 현재의 평면 방식으로는 달성할 수 없는 밀도를 실현합니다. 이 공정에는 고급 리소그래피와 새로운 재료가 필요하므로, 장기간의 개발 기간이 설명됩니다.
10년 후의 스마트폰: 같은 크기, 더 긴 배터리 수명 🔋
즉, 10년 후에는 휴대폰 배터리가 하루가 아닌 하루 반 동안 지속될 수 있다는 뜻입니다. 꽤 큰 발전이죠. 그동안 IBM 엔지니어들은 레고 타워 쌓듯 실리콘을 계속 쌓아 올릴 것이고, 우리는 오후 6시에 여전히 휴대폰을 충전하고 있을 것입니다. 하지만 그래도 미래에는 충전기를 그렇게 자주 찾지 않아도 될 것이라고 약속합니다.