サムスンは、900層を備えた世界初の3D NANDフラッシュメモリのプロトタイプを開発し、競合他社を大きく上回りました。鍵となるのは、450層のウェハー2枚を接合して密度を2倍にする技術Cell Multi-Bonding (CMB)です。これにより消費電力が削減され、パフォーマンスと効率が重要な人工知能アプリケーションにメリットをもたらします。
CMB：2枚のウェハーを接合して密度を2倍に 🚀
サムスンのCMB技術により、チップの高さを増やすことなくメモリセルを垂直に積み重ねることが可能になります。450層の独立したウェハー2枚を接合することで、合計900層の機能的な層を実現します。この進歩はSKハイニックスの321層を上回り、400層の量産準備が整えられています。一方、中国のYMTCは技術的な差を縮めつつありますが、このマイルストーンにはまだ遠く及びません。サムスンは2013年に初の3D V-NANDで先駆者となりました。
YMTCは900層を下から見上げるが、動じず 😅
900層を備えたサムスンは、どんな超高層ビルも青ざめさせるメモリタワーを建設しました。一方、YMTCは向かい風の中でトランプタワーを積み上げるかのように層を重ね続けています。SKハイニックスは、自社の321層の記録が幻だったのではないかと疑問に思っていることでしょう。少なくとも、サムスンはこれらの900層がサンドイッチを作るのに役立つとは言っていませんが、技術的には可能かもしれません。