IBMは、爪の大きさのチップの試作品を発表し、約1000億個のトランジスタを集積しました。鍵となるのは、2層のシリコンを重ねる3D積層技術です。この設計は、現在のチップと比較して70%のエネルギー効率向上と50%の性能向上を約束しますが、民生機器への搭載は約10年後と見込まれています。
性能を倍増させる2層のシリコン 🚀
この進歩は、VTFET（垂直輸送電界効果トランジスタ）技術によるトランジスタの垂直集積に基づいています。2層のシリコンを積層することで、電子は垂直方向に移動し、移動距離とエネルギー消費を削減します。これにより、チップ面積を増やすことなく、より多くのトランジスタを実装でき、現在の平面方式では達成できない密度を実現します。このプロセスには、高度なリソグラフィと新材料が必要であり、開発期間が長期化する理由となっています。
10年後のあなたのスマホ：同じサイズで、より長いバッテリー駆動時間 🔋
つまり、10年後には、あなたのスマートフォンのバッテリーが、現在の1日ではなく、1日半持続する可能性があるということです。これは大きな進歩です。その間、IBMのエンジニアたちは、まるでレゴブロックを積み重ねるかのようにシリコンを積み重ね続け、私たちは相変わらず午後6時にスマホを充電しているでしょう。しかし、少なくとも未来は、それほど頻繁にコンセントを探さなくてもよくなることを約束しています。