ロシア、極端紫外線リソグラフィの競争に参戦
先進チップ製造に不可欠な極端紫外線（EUV）リソグラフィ技術の独自開発という野心的な計画を発表し、技術的自立を目指す戦略的動きとして、ロシアが動いた。このプロジェクトは2037年まで続き、現在の同分野の独占企業ASMLとは根本的に異なるアーキテクチャを提案し、光生成と光学設計で代替アプローチを採用している。重要な依存関係を断ち切ろうとする大胆な試みだ。🇷🇺
15年間の技術ロードマップ
この計画は、能力を段階的かつ着実に発展させるために明確に定義された3つのフェーズで構成されている：
- フェーズ1（2026-2028）：40nmプロセス可能なシステムの開発、技術基盤を築く。
- フェーズ2（2029-2032）：28nmスキャナー（14nmの可能性あり）、精度と生産性を大幅に向上。
- フェーズ3（2033-2036）：10nm未満のノード向けシステム、6枚のミラーによる複雑な光学アーキテクチャ。
各段階には非常に具体的な精度と生産性の目標が設定されている。📅
ASMLとの主な技術的違い
ロシアの提案は単なるコピーではなく、ASML技術の複雑さを回避する代替アプローチだ。主要な違いは根本的である：
- 光源：スズ滴によるプラズマ生成ではなく、キセノンプラズマを使用し、理論上廃棄物汚染を低減。
- 波長：ASMLの標準13.5nmに対し11.2nmで動作し、全く新しい光学系を必要とする。
- 簡素化：先進ノードでの浸漬リソグラフィやマルチパターニングの必要性を回避。
グローバル標準との互換性より堅牢性を優先した設計だ。⚙️
ロシアのアプローチはキセノンプラズマを採用し、フォトマスクを損傷する破片を排除し、メンテナンスを大幅に低減する。
待ち受ける巨大な課題
以前の試みより現実的に見えるものの、道のりは障害だらけだ。最大の課題は非標準波長（11.2nm）の選択で、ルテニウムとベリリウムの特殊ミラー、専用光源、互換性のある感光性レジストなど、供給チェーン全体をゼロから開発する必要がある。また、技術的に成功したとしても、商業的に競争できるか、またはロシア国内市場専用に留まるかは未知数だ。🤔
結局、この発表は半導体の地政学が多極化していることを示している。そして、2037年までにEUV技術で誰が最高かではなく、市場にどれだけの異なる標準が共存するかが問われるかもしれない。😉