Rusia desarrolla su propia tecnologia de litografia EUV como alternativa a ASML
Rusia se lanza a la carrera de la litografía extrema
En un movimiento estratégico para alcanzar la autonomía tecnológica, Rusia ha presentado un plan ambicioso para desarrollar su propia tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV), clave para la fabricación de chips avanzados. Este proyecto, que se extiende hasta 2037, propone una arquitectura radicalmente diferente a la de ASML, el monopolista actual del sector, utilizando enfoques alternativos en la generación de luz y el diseño óptico. Es un intento audaz de romper una dependencia crítica. 🇷🇺
Una hoja de ruta tecnológica de 15 años
El plan está estructurado en tres fases claramente definidas, que buscan un desarrollo incremental pero constante de las capacidades:
- Fase 1 (2026-2028): Desarrollo de un sistema capaz de procesos de 40 nm, sentando las bases tecnológicas.
- Fase 2 (2029-2032): Escáner de 28 nm (con potencial para 14 nm), aumentando significativamente la precisión y el rendimiento.
- Fase 3 (2033-2036): Sistema para nodos por debajo de 10 nm, con una arquitectura óptica compleja de seis espejos.
Cada etapa tiene objetivos de precisión y productividad muy específicos. 📅
Diferencias técnicas clave con ASML
La propuesta rusa no es una copia, sino un enfoque alternativo que busca evitar algunas de las complejidades de la tecnología de ASML. Las diferencias principales son fundamentales:
- Fuente de luz: En lugar de usar gotas de estaño para generar plasma, utiliza plasma de xenón, lo que teóricamente reduce la contaminación por desechos.
- Longitud de onda: Opera a 11.2 nm, frente a los 13.5 nm estándar de ASML, lo que requiere ópticas completamente nuevas.
- Simplificación: Evita la necesidad de litografía por inmersión y técnicas de multipatterning en nodos avanzados.
Es un diseño que prioriza la robustez sobre la compatibilidad con el estándar global. ⚙️
El enfoque ruso emplea plasma de xenón, lo que elimina los escombros que dañan las foto-máscaras y reduce significativamente el mantenimiento.
Los enormes desafíos por delante
Aunque el plan parece más realista que intentos anteriores, el camino está lleno de obstáculos. El mayor reto es la elección de una longitud de onda no estándar (11.2 nm), que obliga a desarrollar toda una cadena de suministro desde cero: espejos especiales de rutenio y berilio, fuentes de luz específicas y resinas fotosensibles compatibles. Además, queda por ver si el proyecto, incluso si tiene éxito técnico, podrá competir comercialmente o si estará destinado únicamente al mercado interno ruso. 🤔
Al final, este anuncio demuestra que la geopolítica de los semiconductores se está volviendo multipolar. Y quien sabe, tal vez para 2037 la pregunta no sea quien tiene la mejor tecnologia EUV, sino cuantos estándares diferentes coexistirán en el mercado. 😉