ASML、EUV露光装置向け光源で千ワット達成 🔬

2026年02月24日 公開 | スペイン語から翻訳

ASMLは、半導体リソグラフィシステムにおける重要な進展を発表しました。極端紫外線(EUV)光源の出力が1000ワットに達しました。この飛躍により、1時間あたり約330枚のシリコンウェハを処理可能となり、チップ製造コストを削減します。同社は、この進展により2030年までにスキャナの生産性を50%向上させると予測しています。

Una fuente de luz EUV de alta potencia ilumina una oblea de silicio en una cámara de vacío, con gráficos de rendimiento superpuestos.

技術的スケーリングと2000ワットへの道筋 ⚡

1000ワットへの増加は、光源に焦点を当てており、高出力レーザーがスズを衝撃することでプラズマが発生します。このプロセスの安定性が性能を決定づけます。ASMLのエンジニアは、この出力をさらにスケーリングする基本的な技術的障壁はないと述べています。将来的なイテレーションで2000ワットに倍増する道が開かれており、これにより生産性がさらに向上します。

2015年のルーターは違いに気づかない 😅

このペースで進めば、2000ワット達成時には、ファンが核融合炉のようにうるさくならないWindows 11を実行するチップを印刷できるかもしれません。それでも、私たちの日常デバイスはブラウザの3つのタブを開くだけで飽和状態になるでしょう。製造の最先端が進んでいるのは心強いですが、智能サーモスタットは2日ごとに手動リセットが必要なままです。