Samsung ha sviluppato il primo prototipo mondiale di memoria flash 3D NAND con 900 strati, superando ampiamente la concorrenza. La chiave sta nella sua tecnologia Cell Multi-Bonding (CMB), che unisce due wafer da 450 strati per raddoppiare la densità. Ciò riduce il consumo energetico e avvantaggia le applicazioni di intelligenza artificiale, dove prestazioni ed efficienza sono critiche.
CMB: due wafer uniti per raddoppiare la densità 🚀
La tecnica CMB di Samsung consente di impilare verticalmente celle di memoria senza dover aumentare l'altezza del chip. Unendo due wafer indipendenti da 450 strati, si ottiene un totale di 900 strati funzionali. Questo progresso supera i 321 strati di SK hynix e si prepara per la produzione di massa di 400 strati. Nel frattempo, la cinese YMTC riduce il suo svantaggio tecnico, ma è ancora lontana da questo traguardo. Samsung è stata pioniera nel 2013 con i primi 3D V-NAND.
YMTC guarda i 900 strati dal basso, ma senza scomporsi 😅
Con 900 strati, Samsung ha costruito una torre di memoria che farebbe impallidire qualsiasi grattacielo. Nel frattempo, YMTC continua ad accumulare strati come chi costruisce un castello di carte con vento contrario. SK hynix, dal canto suo, deve chiedersi se il suo record di 321 strati sia stato un miraggio. Almeno, Samsung non ha detto che questi 900 strati servano per fare un panino, anche se tecnicamente potrebbero.