La Russia si lancia nella corsa della litografia estrema
In una mossa strategica per raggiungere l'autonomia tecnologica, la Russia ha presentato un piano ambizioso per sviluppare la propria tecnologia di litografia ultravioletta estrema (EUV), chiave per la fabbricazione di chip avanzati. Questo progetto, che si estende fino al 2037, propone un'architettura radicalmente diversa da quella di ASML, il monopolista attuale del settore, utilizzando approcci alternativi nella generazione della luce e nel design ottico. È un tentativo audace di rompere una dipendenza critica. 🇷🇺
Un piano tecnologico di 15 anni
Il piano è strutturato in tre fasi chiaramente definite, che mirano a uno sviluppo incrementale ma costante delle capacità:
- Fase 1 (2026-2028): Sviluppo di un sistema capace di processi a 40 nm, ponendo le basi tecnologiche.
- Fase 2 (2029-2032): Scanner a 28 nm (con potenziale per 14 nm), aumentando significativamente la precisione e le prestazioni.
- Fase 3 (2033-2036): Sistema per nodi sotto i 10 nm, con un'architettura ottica complessa a sei specchi.
Ognuna delle fasi ha obiettivi di precisione e produttività molto specifici. 📅
Differenze tecniche chiave con ASML
La proposta russa non è una copia, ma un approccio alternativo che cerca di evitare alcune delle complessità della tecnologia di ASML. Le differenze principali sono fondamentali:
- Fonte di luce: Invece di usare gocce di stagno per generare plasma, utilizza plasma di xeno, il che teoricamente riduce la contaminazione da detriti.
- Lunghezza d'onda: Opera a 11,2 nm, rispetto ai 13,5 nm standard di ASML, il che richiede ottiche completamente nuove.
- Semplificazione: Evita la necessità di litografia a immersione e tecniche di multipatterning nei nodi avanzati.
È un design che privilegia la robustezza rispetto alla compatibilità con lo standard globale. ⚙️
L'approccio russo impiega plasma di xeno, eliminando i detriti che danneggiano le foto-maschere e riducendo significativamente la manutenzione.
Le enormi sfide davanti
Sebbene il piano sembri più realistico di tentativi precedenti, la strada è piena di ostacoli. La sfida maggiore è la scelta di una lunghezza d'onda non standard (11,2 nm), che obbliga a sviluppare tutta una catena di fornitura da zero: specchi speciali di rutenio e berillio, fonti di luce specifiche e resine fotosensibili compatibili. Inoltre, resta da vedere se il progetto, anche in caso di successo tecnico, potrà competere commercialmente o se sarà destinato unicamente al mercato interno russo. 🤔
In definitiva, questo annuncio dimostra che la geopolitica dei semiconduttori sta diventando multipolare. E chissà, forse per il 2037 la domanda non sarà chi ha la migliore tecnologia EUV, ma quanti standard diversi coesisteranno sul mercato. 😉