Samsung a développé le premier prototype mondial de mémoire flash 3D NAND avec 900 couches, dépassant largement la concurrence. La clé réside dans sa technologie Cell Multi-Bonding (CMB), qui assemble deux plaquettes de 450 couches pour doubler la densité. Cela réduit la consommation d'énergie et profite aux applications d'intelligence artificielle, où les performances et l'efficacité sont cruciales.
CMB : deux plaquettes assemblées pour doubler la densité 🚀
La technique CMB de Samsung permet d'empiler verticalement des cellules de mémoire sans augmenter la hauteur de la puce. En assemblant deux plaquettes indépendantes de 450 couches, on obtient un total de 900 couches fonctionnelles. Cette avancée dépasse les 321 couches de SK hynix et se prépare pour une production en série de 400 couches. Pendant ce temps, la chinoise YMTC réduit son retard technique, mais reste encore loin de cette étape. Samsung a été pionnière en 2013 avec les premiers 3D V-NAND.
YMTC regarde les 900 couches d'en bas, mais sans se décoiffer 😅
Avec 900 couches, Samsung a construit une tour de mémoire qui ferait pâlir n'importe quel gratte-ciel. Pendant ce temps, YMTC continue d'empiler des couches comme quelqu'un qui construit un château de cartes avec du vent contraire. SK hynix, de son côté, doit se demander si son record de 321 couches n'était pas un mirage. Au moins, Samsung n'a pas dit que ces 900 couches servent à faire un sandwich, même si techniquement, elles le pourraient.