Samsung hat den weltweit ersten Prototyp eines 3D-NAND-Flash-Speichers mit 900 Schichten entwickelt und übertrifft damit die Konkurrenz deutlich. Der Schlüssel liegt in ihrer Cell Multi-Bonding (CMB)-Technologie, die zwei Wafer mit je 450 Schichten verbindet, um die Dichte zu verdoppeln. Dies reduziert den Energieverbrauch und kommt Anwendungen der künstlichen Intelligenz zugute, bei denen Leistung und Effizienz entscheidend sind.
CMB: Zwei Wafer verbunden, um die Dichte zu verdoppeln 🚀
Samsungs CMB-Technik ermöglicht es, Speicherzellen vertikal zu stapeln, ohne die Höhe des Chips erhöhen zu müssen. Durch die Verbindung zweier unabhängiger Wafer mit je 450 Schichten werden insgesamt 900 funktionale Schichten erreicht. Dieser Fortschritt übertrifft die 321 Schichten von SK hynix und bereitet die Massenproduktion von 400 Schichten vor. In der Zwischenzeit verringert der chinesische Hersteller YMTC seinen technischen Rückstand, ist aber noch weit von diesem Meilenstein entfernt. Samsung war 2013 mit den ersten 3D-V-NAND-Speichern ein Pionier.
YMTC blickt von unten auf die 900 Schichten, aber ohne sich zu ärgern 😅
Mit 900 Schichten hat Samsung einen Speicherturm gebaut, der jeden Wolkenkratzer blass aussehen lässt. Währenddessen stapelt YMTC weiter Schichten wie jemand, der bei Gegenwind ein Kartenhaus baut. SK hynix wiederum fragt sich sicher, ob sein Rekord von 321 Schichten eine Fata Morgana war. Zumindest hat Samsung nicht gesagt, dass diese 900 Schichten dazu dienen, ein Sandwich zu machen, auch wenn sie es technisch gesehen könnten.