Forscher der Universität Tokio und des RIKEN CEMS haben einen magnetischen Speicher auf Basis von Quanteneffekten entwickelt, der DRAM in der Geschwindigkeit um bis zu 25 Mal übertrifft. Dieses System erzeugt keine Wärme und nutzt sich durch den Gebrauch nicht ab, was einen bemerkenswerten Fortschritt in der Datenspeicherung verspricht.
Quantentechnologie: Der Spin-Bahn-Effekt als Grundlage des Zustandswechsels 🧲
Der Speicher nutzt die Übertragung des Spin-Bahn-Drehimpulses des Elektrons, um zwischen Zuständen zu wechseln, wodurch der Energieverbrauch gesenkt wird. Das Gerät verwendet Trimangan-Zinn (Mn₃Sn), einen Antiferromagneten mit Kagome-Struktur, der einen riesigen anomalen Hall-Effekt aufweist. Dies ermöglicht ihm eine intensive Reaktion auf elektrischen Strom, ähnlich einem Ferromagneten, was zu schnelleren und verschleißfesteren Speichern führt.
Abschied vom Bluescreen: Dein PC wird sich nicht mehr über Hitze beschweren ❄️
Mit diesem Speicher könnten die Tage des Wartens auf das Laden des Computers oder des Hörens des Lüfters wie eines Haartrockners vorbei sein. Jetzt müssen die Hersteller sich nur noch entscheiden, ihn zu verwenden, bevor der Markt uns einen anderen Speicher verkauft, der die Rettung verspricht und am Ende der neue Standard wird, der wie ein Heizkörper heizt. Zumindest werden die Bits nicht müde zu arbeiten.