
Russland stürzt sich in das Rennen der Extrem-Ultraviolett-Lithographie
In einem strategischen Zug zur Erreichung der technologischen Autonomie hat Russland einen ehrgeizigen Plan zur Entwicklung eigener Extrem-Ultraviolett-Lithographie (EUV) vorgelegt, die für die Herstellung fortschrittlicher Chips entscheidend ist. Dieses Projekt, das bis 2037 läuft, schlägt eine radikal unterschiedliche Architektur zu der von ASML vor, dem derzeitigen Monopolisten des Sektors, und nutzt alternative Ansätze bei der Lichtgenerierung und im optischen Design. Es ist ein kühner Versuch, eine kritische Abhängigkeit zu durchbrechen. 🇷🇺
Ein 15-jähriger Technologie-Roadmap
Der Plan ist in drei klar definierte Phasen strukturiert, die eine inkrementelle, aber stetige Entwicklung der Fähigkeiten anstreben:
- Phase 1 (2026-2028): Entwicklung eines Systems für 40-nm-Prozesse, das die technologischen Grundlagen schafft.
- Phase 2 (2029-2032): Scanner für 28 nm (mit Potenzial für 14 nm), der die Präzision und Leistung erheblich steigert.
- Phase 3 (2033-2036): System für Knoten unter 10 nm mit einer komplexen optischen Architektur aus sechs Spiegeln.
Jede Etappe hat sehr spezifische Ziele hinsichtlich Präzision und Produktivität. 📅
Schlüsseltechnische Unterschiede zu ASML
Der russische Vorschlag ist keine Kopie, sondern ein alternativer Ansatz, der einige der Komplexitäten der ASML-Technologie vermeiden soll. Die Hauptunterschiede sind grundlegend:
- Lichtquelle: Statt Tropfen aus Zinn zur Plasmagenerierung wird Xenon-Plasma verwendet, was theoretisch die Verschmutzung durch Abfall reduziert.
- Wellenlänge: Betrieb bei 11,2 nm im Vergleich zu den 13,5 nm Standard von ASML, was vollständig neue Optiken erfordert.
- Vereinfachung: Vermeidung der Notwendigkeit von Immersionslithographie und Multi-Patterning-Techniken bei fortschrittlichen Knoten.
Es handelt sich um ein Design, das Robustheit über die Kompatibilität mit dem globalen Standard stellt. ⚙️
Der russische Ansatz verwendet Xenon-Plasma, was die Trümmer eliminiert, die die Fotomasken beschädigen, und das Wartungsaufwand erheblich reduziert.
Die enormen Herausforderungen vor uns
Obwohl der Plan realistischer erscheint als frühere Versuche, ist der Weg voller Hindernisse. Die größte Herausforderung ist die Wahl einer nicht standardmäßigen Wellenlänge (11,2 nm), die die Entwicklung einer gesamten Lieferkette von Grund auf erzwingt: spezielle Ruthenium- und Beryllium-Spiegel, spezifische Lichtquellen und kompatible photosensible Harze. Zudem bleibt abzuwarten, ob das Projekt, selbst bei technischem Erfolg, kommerziell konkurrieren kann oder ausschließlich auf den russischen Binnenmarkt beschränkt bleibt. 🤔
Zuletzt zeigt diese Ankündigung, dass die Geopolitik der Halbleiter multipolar wird. Und wer weiß, vielleicht lautet die Frage im Jahr 2037 nicht mehr, wer die beste EUV-Technologie hat, sondern wie viele unterschiedliche Standards auf dem Markt koexistieren werden. 😉