ASML hat einen Schlüssel Fortschritt in seinen Lithographiesystemen für Halbleiter mitgeteilt. Die Leistung der extrem ultravioletten (EUV) Lichtquelle hat 1000 Watt erreicht. Dieser Sprung ermöglicht die Verarbeitung von nahezu 330 Siliziumwafern pro Stunde, eine Zahl, die die Herstellungskosten von Chips senkt. Das Unternehmen prognostiziert, dass dieser Fortschritt die Produktivität seiner Scanner bis 2030 um 50 % steigern wird.
Technische Skalierung und der Weg zu 2000 Watt ⚡
Die Erhöhung auf 1000 Watt konzentriert sich auf die Lichtquelle, wo das Zinnplasma durch den Einschlag eines Hochleistungslasers erzeugt wird. Die Stabilität dieses Prozesses ist entscheidend für die Leistung. Die Ingenieure von ASML geben an, dass es keine grundlegenden technischen Barrieren gibt, die eine weitere Skalierung dieser Leistung verhindern. Der Weg ist frei, die Zahl zu verdoppeln und in zukünftigen Iterationen 2000 Watt zu erreichen, was neue Steigerungen der Produktivität bedeuten würde.
Unser Router von 2015 wird keinen Unterschied bemerken 😅
Mit diesem Tempo, bis sie 2000 Watt erreichen, können wir vielleicht einen Chip drucken, der Windows 11 ausführt, ohne dass der Lüfter wie ein Fusionsreaktor klingt. In der Zwischenzeit werden unsere Alltagsgeräte weiterhin einen Weg finden, sich mit drei offenen Browser-Tabs zu überlasten. Es ist tröstlich zu wissen, dass die Spitze der Fertigung voranschreitet, auch wenn unser intelligenter Thermostat weiterhin alle zwei Tage einen manuellen Neustart benötigt.