ASML 正在推进其高数值孔径 (High-NA) EUV 光刻技术的批量引入，从明年开始。这项技术对于在约 1.4 nm 节点的大规模芯片生产至关重要。Intel、Samsung 和 SK hynix 是首批客户，而 TSMC 因成本原因推迟大规模采用，预计在 2027-2028 年广泛使用。
技术飞跃：0.55 数值孔径，一次曝光 8 nm 图案 ⚙️
High-NA EUV 设备将数值孔径提高到 0.55，而当前 EUV 系统为 0.33。这一变化允许在单次曝光中打印约 8 纳米的图案，从而简化了先进逻辑和内存节点的生产流程。解析更精细特征的能力是2 nm之后工艺的关键。
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当半导体巨头们规划他们的订单时，我们其他人可以反思这一工程奇迹的价格。每台系统的成本约为数亿美元，这个数字让在马德里买房似乎都成了小开销。看来加入1.4 nm俱乐部需要的不只是良好意愿和几片硅晶圆。