三星开发了全球首个900层3D NAND闪存原型，大幅领先竞争对手。其关键在于单元多键合（CMB）技术，该技术将两块450层的晶圆结合在一起，使密度翻倍。这降低了能耗，并有利于人工智能应用，在这些应用中，性能和效率至关重要。
CMB：两块晶圆结合，密度翻倍 🚀
三星的CMB技术允许垂直堆叠存储单元，而无需增加芯片高度。通过将两块独立的450层晶圆结合在一起，实现了总共900个功能层。这一进展超越了SK海力士的321层，并为400层的量产做好准备。与此同时，中国的长江存储（YMTC）正在缩小技术差距，但距离这一里程碑仍相去甚远。三星于2013年率先推出了首款3D V-NAND。
长江存储仰望900层，但依然从容 😅
凭借900层，三星构建了一座让任何摩天大楼都相形见绌的存储塔。与此同时，长江存储仍在逆风中像搭纸牌屋一样堆叠层数。而SK海力士大概正在怀疑其321层的纪录是否只是海市蜃楼。至少，三星没有说这900层可以用来做三明治，尽管技术上是可以的。