IBM 已展示了一款指甲盖大小的芯片原型，集成了近 1000 亿个晶体管。其关键在于一种 3D 堆叠技术，将两层硅片上下叠放。这种设计相比现有芯片，能效提升 70%，性能提升 50%，不过预计还需约十年才能应用于商用设备。
两层硅片，性能翻倍 🚀
这一突破基于 VTFET（垂直传输场效应晶体管）技术的晶体管垂直集成。通过堆叠两层硅片，电子垂直传输，缩短了传输距离并降低了能耗。这使得在不增加芯片面积的情况下封装更多晶体管成为可能，实现了当前平面工艺无法达到的密度。该工艺需要先进的光刻技术和新材料，这也是开发周期较长的原因。
十年后的手机：尺寸不变，续航更长 🔋
也就是说，十年后你的手机电池可能从一天续航延长到一天半。这确实是个进步。与此同时，IBM 的工程师们会继续像搭乐高积木一样堆叠硅片，而我们则继续在下午六点给手机充电。但话说回来，至少未来承诺我们不用那么频繁地找插座了。