俄罗斯投身于极紫外光刻竞赛
在实现技术自主的战略举措中，俄罗斯提出了一项雄心勃勃的计划，开发自己的极紫外（EUV）光刻技术，这是制造先进芯片的关键。该项目将持续到2037年，提出了一种与ASML（当前该领域的垄断者）截然不同的架构，使用光生成和光学设计方面的替代方法。这是一次大胆尝试，以打破关键依赖。🇷🇺
15年的技术路线图
该计划分为三个明确定义的阶段，旨在逐步但持续地发展能力：
- 阶段1（2026-2028）：开发能够处理40 nm工艺的系统，为技术基础奠定基础。
- 阶段2（2029-2032）：28 nm扫描仪（具有14 nm潜力），显著提高精度和性能。
- 阶段3（2033-2036）：用于10 nm以下节点的系统，采用复杂的六镜光学架构。
每个阶段都有非常具体的精度和生产力目标。📅
与ASML的关键技术差异
俄罗斯的提案不是复制，而是替代方法，旨在避免ASML技术的一些复杂性。主要差异是根本性的：
- 光源：不使用锡滴生成等离子体，而是使用氙等离子体，理论上减少废物污染。
- 波长：运行在11.2 nm，而ASML的标准为13.5 nm，这需要全新的光学系统。
- 简化：避免了浸没式光刻和先进节点的多重图案化技术需求。
这是一个优先考虑鲁棒性而非与全球标准的兼容性的设计。⚙️
俄罗斯方法采用氙等离子体，消除了损坏光掩膜的碎片，并显著减少维护。
前方巨大的挑战
尽管该计划似乎比以往尝试更现实，但道路上布满障碍。最大的挑战是选择非标准波长（11.2 nm），这迫使从零开发整个供应链：特殊的钌和铍镜、特定光源和兼容的光敏树脂。此外，即使技术上成功，该项目是否能在商业上竞争，还是仅限于俄罗斯国内市场，仍有待观察。🤔
最终，这一宣布表明半导体地缘政治正在变得多极化。谁知道，到2037年，问题可能不是谁拥有最好的EUV技术，而是市场将共存多少不同的标准。😉