طورت سامسونج أول نموذج أولي في العالم لذاكرة فلاش ثلاثية الأبعاد (3D NAND) بعدد 900 طبقة، متجاوزةً بذلك المنافسين بشكل كبير. يكمن السر في تقنيتها Cell Multi-Bonding (CMB)، التي تربط بين شريحتين من 450 طبقة لمضاعفة الكثافة. يقلل هذا من استهلاك الطاقة ويفيد تطبيقات الذكاء الاصطناعي، حيث يكون الأداء والكفاءة أمرين حاسمين.
CMB: شريحتان موحدتان لمضاعفة الكثافة 🚀
تتيح تقنية CMB من سامسونج تكديس خلايا الذاكرة عموديًا دون الحاجة إلى زيادة ارتفاع الشريحة. من خلال ربط شريحتين مستقلتين كل منهما مكونة من 450 طبقة، يتم تحقيق إجمالي 900 طبقة وظيفية. يتفوق هذا التقدم على 321 طبقة من SK hynix ويستعد للإنتاج الضخم لـ 400 طبقة. في هذه الأثناء، تقلل YMTC الصينية من فجوتها التقنية، لكنها لا تزال بعيدة عن هذا الإنجاز. كانت سامسونج رائدة في عام 2013 مع أول ذاكرة 3D V-NAND.
YMTC تنظر إلى 900 طبقة من الأسفل، ولكن دون أن تزعجها الرياح 😅
مع 900 طبقة، بنت سامسونج برج ذاكرة يجعل أي ناطحة سحاب تبدو شاحبة. في هذه الأثناء، تواصل YMTC تكديس الطبقات كمن يبني برجًا من الورق في مواجهة الرياح المعاكسة. أما SK hynix، فلا بد أنها تتساءل عما إذا كان رقمها القياسي البالغ 321 طبقة مجرد سراب. على الأقل، لم تقل سامسونج إن هذه الطبقات الـ 900 تصلح لصنع شطيرة، على الرغم من أنها قد تصلح تقنيًا.