قدمت شركة IBM نموذجًا أوليًا لرقاقة بحجم الظفر تحتوي على ما يقرب من 100 مليار ترانزستور. يكمن السر في تقنية التكديس ثلاثي الأبعاد التي تضع طبقتين من السيليكون فوق بعضهما البعض. يعد هذا التصميم بزيادة كفاءة الطاقة بنسبة 70% وتحسين الأداء بنسبة 50% مقارنة بالرقاقات الحالية، على الرغم من أن وصوله إلى الأجهزة التجارية يُقدر بحوالي عشر سنوات.
طبقتان من السيليكون لمضاعفة الأداء 🚀
يعتمد هذا التقدم على التكامل الرأسي للترانزستورات باستخدام تقنية VTFET (ترانزستور التأثير الميداني ذو النقل الرأسي). من خلال تكديس طبقتين من السيليكون، تنتقل الإلكترونات عموديًا، مما يقلل مسافة الانتقال واستهلاك الطاقة. وهذا يسمح بتعبئة المزيد من الترانزستورات دون زيادة مساحة الرقاقة، محققًا كثافة لا تصل إليها الطرق المسطحة الحالية. تتطلب العملية طباعة حجرية متقدمة ومواد جديدة، مما يفسر فترة التطوير الطويلة.
هاتفك بعد عشر سنوات: نفس الحجم، عمر بطارية أطول 🔋
بمعنى آخر، بعد عقد من الزمن، قد تدوم بطارية هاتفك يومًا ونصف اليوم بدلاً من يوم واحد. تقدم كبير حقًا. في هذه الأثناء، سيواصل مهندسو IBM تكديس السيليكون كما لو كانوا مكعبات ليغو، وسنواصل نحن شحن هواتفنا في السادسة مساءً. لكن مهلاً، على الأقل يعد المستقبل بأنك لن تضطر للبحث عن مقبس كهربائي كثيرًا.