
يميك يدمج ذاكرة HBM مباشرة على ركيزة وحدة معالجة الرسوميات GPU
في حدث IEDM، كشف مركز البحث يميك عن تقدم قد يعيد تعريف كيفية بناء مسرعات الحوسبة. يُظهر نموذجه الأولي تصنيع ذاكرة HBM مباشرة على ركيزة السيليكون لوحدة معالجة الرسوميات. هذه الطريقة، المسماة HBM on GPU، تهدف إلى إزالة المكون الوسيط من السيليكون الذي يربط حاليًا وحدة GPU بالوحدات الذاكرية المكدسة. النتيجة هي مسار أقصر للإشارات، مما يعزز الأداء ويحسن استخدام الطاقة، وهما ركيزتان للـذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء. 🚀
الأساس التكنولوجي: 3D SoIC من TSMC
هذا التطوير لا يبدأ من الصفر. يعتمد على تكنولوجيا التكامل 3D SoIC من TSMC. لاختبارها، أنشأ يميك رقاقة اختبار تربط شريحة منطقية مصنعة في عقدة 3 نانومتر N3 بأربع شرائح DRAM مكدسة. السحر يحدث في الاتصال: يستخدمون ميكروبمبس من النحاس بارتفاع أدنى يبلغ 6 ميكرومتر فقط. هذه العملية من الربط الهجين تحقق كثافة اتصال هائلة، متجاوزة 10,000 اتصال لكل مليمتر مربع. الهيكل النهائي أكثر إحكامًا ويُعد أكثر كفاءة من حلول HBM التقليدية التي تعتمد على وسيط سلبي.
الخصائص الرئيسية للنموذج الأولي:- الهندسة المعمارية: شريحة منطقية (GPU) في عقدة N3 متصلة بأربع شرائح ذاكرة DRAM مكدسة.
- تكنولوجيا الاتصال: ميكروبمبس نحاسية بارتفاع 6µm تسمح بربط هجين عالي الكثافة.
- الميزة الرئيسية: إزالة الوسيط السيليكوني، تبسيط التصميم وقصر المسارات الكهربائية.
دمج الذاكرة مباشرة على ركيزة معالج الرسوميات يبسط تصميم النظام ويقلل من تعقيد التعبئة.
فوائد وعقبات الربط المباشر
ربط الذاكرة والمنطق على نفس الركيزة يجلب مزايا ملموسة. تبسيط التصميم للنظام وتقليل التعقيد للتعبئة هما الأولى. بتقصير مسارات الاتصال بشكل كبير، تقل الإشارات أقل ويحتاج إلى أقل