La memoria de cambio de fase almacena datos de forma no volátil
La memoria de cambio de fase, o PCM, es un tipo de memoria no volátil que funciona de forma similar a la tecnología de los DVD regrabables. Almacena información al calentar un material especial, típicamente una aleación calcogenuro, para cambiar su estado físico. Este material puede pasar de un estado amorfo, que tiene alta resistencia eléctrica, a un estado cristalino, que tiene baja resistencia. La diferencia en resistencia se interpreta como un 0 o un 1, permitiendo almacenar datos de forma permanente sin necesidad de energía.
El mecanismo de escritura y lectura de datos
Para escribir datos, la memoria PCM aplica pulsos eléctricos que calientan el material. Un pulso corto e intenso lo funde y lo enfría rápidamente, fijándolo en el estado amorfo. Un pulso más largo y menos intenso lo calienta por encima de su temperatura de cristalización, permitiendo que se ordene en la estructura cristalina. Leer los datos es un proceso no destructivo; se aplica un voltaje bajo para medir la resistencia del material sin alterar su estado. Este ciclo de escritura y borrado puede repetirse millones de veces.
Sus ventajas y su papel en tecnologías futuras
Esta tecnología combina características de la memoria flash y la RAM. Es más rápida que la memoria flash NAND al escribir, tiene una mayor resistencia a ciclos de escritura y un menor consumo de energía. Por estas razones, se considera una candidata para la próxima generación de almacenamiento. Además, su naturaleza de cambio de resistencia la hace idónea para conceptos de computación en memoria, donde se procesan datos en el mismo lugar donde se almacenan, reduciendo el cuello de botella entre la memoria y el procesador.
Parece que el futuro del almacenamiento pasa por calentar las cosas hasta que cambien de forma, una estrategia que, irónicamente, también aplicamos los humanos cuando intentamos que un programa arranque.
