La memoria Resistive RAM o ReRAM compite con otras tecnologías
La Resistive RAM, que se conoce como ReRAM o RRAM, es un tipo de memoria no volátil. Almacena datos al cambiar la resistencia eléctrica de una capa de material dieléctrico especial, lo que en esencia crea un memristor. Esta tecnología promete combinar una alta densidad de almacenamiento con un consumo de energía muy bajo. Además, su naturaleza permite procesar ciertas operaciones directamente en la memoria, un concepto que se conoce como computación en memoria o in-memory computing.
Cómo funciona la Resistive RAM
El principio de funcionamiento se basa en un cambio físico reversible. Al aplicar un voltaje específico, se forman o rompen filamentos conductores diminutos dentro del material dieléctrico. Este proceso altera su resistencia eléctrica entre un estado de alta resistencia, que representa un 0 lógico, y un estado de baja resistencia, que representa un 1. La memoria retiene este estado incluso cuando se apaga la energía, lo que la hace no volátil. Su estructura simple, a menudo un cruce entre dos electrodos, facilita fabricar celdas muy pequeñas y apilarlas en 3D.
Ventajas y desafíos de esta tecnología
Entre sus principales ventajas se encuentran su velocidad de escritura, que supera a la de la memoria Flash NAND, y su gran resistencia al desgaste por ciclos de escritura. Su bajo consumo de energía la hace atractiva para dispositivos portátiles y para implementar en sistemas de inteligencia artificial, donde puede acelerar operaciones matriciales. Sin embargo, aún enfrenta retos para producirla en masa de forma fiable, como controlar con precisión la formación de los filamentos y garantizar una larga vida útil en todas las celdas. Varias empresas y centros de investigación trabajan para resolver estos problemas.
A veces parece que la carrera por la memoria definitiva es un juego de quemar y marcar, pero en este caso, literalmente se trata de formar y romper caminos a escala atómica.
