Wafer-on-Wafer bonding es una técnica de empaquetado 3D
Esta técnica de empaquetado 3D extrema une dos obleas de silicio completas cara a cara antes de cortarlas en chips individuales. Procesar las obleas por separado y luego unirlas permite crear una densidad de interconexiones verticales miles de veces mayor que con otros métodos. Este enfoque facilita integrar sistemas completos de forma ultra compacta, conectando directamente los componentes a nivel de oblea.
Así funciona el proceso de unión
El proceso comienza con dos obleas de silicio que se fabrican de manera independiente, cada una con sus propios circuitos y elementos. Luego, se alinean con precisión nanométrica y se unen permanentemente aplicando presión y calor. Esta unión crea un bloque sólido donde las conexiones eléctricas entre las dos mitades son extremadamente densas y cortas. Finalmente, este bloque se corta para obtener los chips individuales, que ahora son dispositivos 3D complejos.
Compara esta técnica con otras alternativas
Otras técnicas 3D, como apilar chips que ya se cortaron, ofrecen menos densidad de interconexiones porque las microbumps o los through-silicon vias son más grandes y están más espaciados. WoW bonding elimina ese cuello de botella al conectar los transistores de una oblea directamente con los de la otra a una escala microscópica. Esto permite que los datos fluyan con mayor velocidad y eficiencia entre los diferentes módulos del sistema, como la memoria y la lógica.
El verdadero desafío no es unir las obleas, sino evitar que se peguen de forma accidental durante la fabricación, un problema que todo ingeniero conoce demasiado bien.
