MRAM es la memoria no volátil que combina velocidad y persistencia
La MRAM o RAM Magnetorresistiva representa un avance significativo en la arquitectura de memoria, ya que opera bajo un principio fundamentalmente distinto. En lugar de almacenar datos como cargas eléctricas en transistores, como hacen la DRAM o la SRAM, o en celdas de puerta flotante como la NAND flash, la MRAM utiliza el estado magnético de elementos nanoscópicos. Esta diferencia de base le otorga su característica más destacada: es una memoria no volátil que, a diferencia de la RAM convencional, no pierde la información cuando se interrumpe la alimentación eléctrica. Su funcionamiento se basa en la magnetorresistencia, una propiedad que modifica la resistencia eléctrica de un material en función de su orientación magnética, permitiendo así codificar los estados binarios de 0 y 1.
Ventajas sobre la DRAM y el almacenamiento flash
Las implicaciones de esta tecnología son profundas, ya que busca ofrecer lo mejor de dos mundos. Por un lado, apunta a igualar o superar la velocidad de escritura y lectura de la DRAM, con tiempos de acceso del orden de nanosegundos y una resistencia prácticamente ilimitada a los ciclos de escritura, un punto débil crítico de las memorias flash. Por otro lado, mantiene la persistencia de los datos propia de una unidad de estado sólido, eliminando la necesidad de refrescar constantemente la información para retenerla. Esto la posiciona como una candidata ideal para una memoria universal, capaz de funcionar tanto como memoria de trabajo principal como de almacenamiento no volátil, simplificando enormemente las jerarquías de memoria en los sistemas.
Retos actuales y futuro de la tecnología
Sin embargo, su camino hacia la adopción masiva no está exento de obstáculos. La densidad de integración, medida en gigabits por milímetro cuadrado, ha sido históricamente inferior a la de la DRAM o la NAND flash, aunque nuevas variantes como la STT-MRAM (Spin-Transfer Torque) están cerrando esta brecha rápidamente. El coste de fabricación por bit también es actualmente más elevado, lo que limita su uso a aplicaciones de nicho donde sus ventajas son cruciales, como en la electrónica industrial, automoción, o como caché de última línea en algunos SSD de alto rendimiento. La investigación se centra ahora en mejorar la escalabilidad y reducir los costes para que pueda llegar al consumidor final.
Así que, mientras esperamos, seguiremos haciendo malabares con la volátil DRAM que olvida todo al apagar, el flash que se cansa de tanto escribir, y ese eterno ¿he guardado los cambios? antes de cerrar cualquier programa.
