Rusia planea su propia litografía EUV para 2037
Rusia ha presentado un ambicioso plan para desarrollar su propia tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV) con el objetivo de reducir su dependencia de ASML, el líder del mercado. Este proyecto, que se extiende hasta 2037, propone una arquitectura completamente diferente a la de ASML, utilizando láseres de estado sólido híbridos y fuentes de luz basadas en plasma de xenón. Además, se emplearían espejos de rutenio y berilio para reflejar la luz a una longitud de onda de 11,2 nm, en lugar de los 13,5 nm estándar.
Fases del desarrollo hasta 2037
- 2026–2028: Desarrollo de un sistema de litografía con capacidad para procesos de 40 nm, precisión de superposición de 10 nm y un rendimiento superior a cinco obleas por hora.
- 2029–2032: Introducción de un escáner de 28 nm (con potencial para 14 nm) utilizando un sistema óptico de cuatro espejos, con precisión de superposición de 5 nm y un rendimiento superior a 50 obleas por hora.
- 2033–2036: Sistema dirigido a la producción por debajo de 10 nm con una configuración de seis espejos, precisión de alineación de 2 nm y tamaños de campo de hasta 26 x 2 mm, diseñado para ofrecer un rendimiento superior a 100 obleas por hora.
Diferencias clave con ASML
A diferencia de las herramientas de ASML, que utilizan gotas de estaño para generar plasma, el enfoque ruso emplea plasma de xenón, lo que elimina los escombros que dañan las foto-máscaras y reduce significativamente el mantenimiento. Además, se evita la complejidad de los líquidos de inmersión a alta presión y los pasos de multipatrón necesarios en los nodos avanzados.
Retos y perspectivas
Aunque el plan parece más realista que algunos anteriores, aún debe demostrar su viabilidad. Además, si se ejecuta con éxito, es posible que no se utilice con fines comerciales. La elección de una longitud de onda de 11,2 nm, no estándar en la industria, presenta desafíos adicionales, como la necesidad de espejos y ópticas especialmente diseñados, fuentes de luz específicas y resistencias compatibles.
