Intel 18A ha supuesto el salto hacia la era sub-nanométrica
Es el nodo de fabricación de próxima generación desarrollado por Intel, considerado el punto clave de su plan para recuperar el liderazgo tecnológico en semiconductores. Su nombre proviene de los 18 angstroms (1,8 nanómetros) de tamaño aproximado de sus transistores, lo que lo sitúa en la frontera de la miniaturización actual. Este proceso combina dos avances fundamentales, como los transistores RibbonFET (Gate-All-Around) y el sistema de alimentación PowerVia, conformando una arquitectura completamente nueva tanto en diseño como en eficiencia.
Tecnología y eficiencia estructural
RibbonFET permite a Intel controlar con mayor precisión el flujo de corriente, logrando transistores más rápidos y con menor pérdida energética. PowerVia, por su parte, mejora la entrega de energía al trasladar las conexiones eléctricas a la parte posterior del chip. Juntas, ambas tecnologías optimizan el rendimiento y reducen el consumo, permitiendo diseños más compactos sin comprometer estabilidad ni frecuencia. Intel también implementa nuevos materiales y métodos de litografía ultravioleta extrema (EUV) de alta precisión, mejorando la densidad de transistores por milímetro cuadrado.
Ventajas competitivas y aplicación futura
Intel 18A está diseñado para ser el nodo que sustente las futuras generaciones de procesadores Panther Lake y SoC para centros de datos y gráficos integrados. Su objetivo es ofrecer una ventaja en rendimiento por vatio y eficiencia térmica, dos factores cruciales para la próxima década. Además, Intel planea ofrecer este proceso a terceros a través de su división Intel Foundry, posicionándose como alternativa directa a TSMC y Samsung en el mercado de la fabricación avanzada.
Con un tamaño de transistor tan diminuto, el desafío de Intel ya no es hacerlo más pequeño… sino encontrar microscopios lo bastante potentes para presumirlo.
