기업 KIOXIA와 Sandisk는 ISSCC 2025에서 3D 플래시 메모리의 혁신적인 기술을 공개했으며, 이는 속도, 에너지 효율성, 비트 밀도 측면에서 새로운 표준을 세웁니다. NAND 인터페이스가 4,8 Gb/s에 도달하는 이 기술은 이전 3D 플래시 메모리 버전을 크게 능가합니다.
속도와 에너지 효율성에서 큰 도약
새로운 3D 플래시 메모리는 전송 속도를 향상시킬 뿐만 아니라 에너지 소비도 최적화합니다. NAND 인터페이스 속도가 4,8 Gb/s에 달해 8세대 대비 33% 증가를 달성했습니다. 에너지 효율성 측면에서 데이터 입력 시 에너지 소비가 10% 감소했으며, 데이터 출력 시에는 34% 개선되어 성능과 낮은 에너지 발자국을 균형 있게 유지합니다.
비트 밀도를 높이는 첨단 기술
3D 플래시 메모리 아키텍처의 발전으로 332층 아키텍처 덕분에 비트 밀도가 59% 증가했습니다. 이 기술적 도약은 저장 공간을 최적화하여 장치가 크기나 성능을 희생하지 않고 더 높은 용량을 제공할 수 있게 합니다.
차세대 AI 애플리케이션을 위한 혁신
인공지능(AI)과 같은 고급 애플리케이션의 성장이 저장 기술의 진화에 중요한 요인이 되었습니다. KIOXIA의 부사장 겸 기술 책임자인 Axel Stoermann은 AI 애플리케이션, 예를 들어 엣지 추론과 전이 학습이 저장 솔루션 수요를 촉진한다고 강조했습니다. 이 새로운 3D 플래시 메모리 기술은 이러한 시스템의 속도, 용량, 에너지 효율성에 대한 증가하는 요구를 충족하도록 설계되었습니다.
KIOXIA와 Sandisk의 미래 비전
KIOXIA와 Sandisk는 여기서 멈추지 않습니다. 두 회사는 CMOS와 기존 메모리 셀의 조합인 CBA 기술을 활용한 9세대 3D 플래시 메모리 차세대를 개발 중입니다. 이 혁신은 낮은 전력 소비, 높은 성능, 효율성을 가진 제품을 가능하게 하여 저장 분야에서 두 회사의 리더십을 더욱 공고히 할 것입니다.
"첨단 플래시 메모리 솔루션은 KIOXIA와 Sandisk를 혁신의 선구자로 위치짓고 있으며, 디지털 사회의 진보를 촉진하고 있습니다."
이러한 발전으로 KIOXIA와 Sandisk는 고객의 요구에 적응하며 저장 분야의 리더로 계속 머물며 디지털 기술의 발전에 기여하고 있습니다.