미국 기업 NEO Semiconductor가 실리콘 기반 3D X-DRAM 기술의 첫 번째 기능성 프로토타입을 제작하며 RAM 메모리 분야에서 중요한 진전을 이루었습니다. 이 설계는 3D NAND 메모리의 방식을 모방하여 메모리 셀을 수직으로 적층함으로써 저장 밀도를 높이고 글로벌 메모리 칩 부족 현상을 완화하는 것을 목표로 합니다. 1년 동안 재정적 지원을 받지 못한 이 프로젝트는 이제 그 잠재력에 관심을 가진 투자자와 제조업체를 끌어들이고 있습니다.
수직 적층: 더 높은 밀도를 위한 핵심 🏗️
3D X-DRAM 아키텍처는 실리콘 기판 위에 메모리 셀 층을 수직으로 쌓아 올리는 방식을 사용하며, 이 기술은 칩 크기를 늘리지 않고 단위 면적당 용량을 배가시킵니다. 현재의 평면 DRAM 메모리와 달리, 이 설계는 상호 연결 거리를 단축하여 에너지 소비와 지연 시간을 줄일 것을 약속합니다. NEO Semiconductor는 자사의 프로토타입이 수평 확장의 한계를 극복하여 서버 및 고성능 장치용으로 더욱 밀도 높고 효율적인 RAM 모듈을 제조할 수 있는 길을 제공한다고 주장합니다.
잊혀진 프로젝트에서 투자자의 총애를 받는 프로젝트로 🤑
흥미로운 점은 1년 동안 아무도 이 아이디어에 한 푼도 투자하려 하지 않았다는 것입니다. 투자자들은 아마 암호화폐 차트를 보거나 가상 반려동물 회사의 주식을 사느라 매우 바빴던 모양입니다. 이제 프로토타입이 작동하는 것을 보자, 그들은 합류하기 위해 서로 다투고 있습니다. 마치 무시했던 급우가 갑자기 우수한 성적을 받자 친구가 되고 싶어지는 것과 비슷합니다. 다행히 기술은 원한을 품지 않습니다. 적어도 그렇게 보입니다.