企業KIOXIAとSandiskは、ISSCC 2025で革命的な3Dフラッシュメモリ技術を発表し、速度、エネルギー効率、ビット密度の新たな基準を確立しました。NANDインターフェースが4.8 Gb/sに達するこの技術は、従来の3Dフラッシュメモリのバージョンを大幅に上回っています。
速度とエネルギー効率の大幅な向上
新しい3Dフラッシュメモリは、転送速度を向上させるだけでなく、エネルギー消費も最適化します。NANDインターフェース速度4.8 Gb/sにより、8世代目に対して33%の増加を実現しています。エネルギー効率の観点では、データ入力時の消費電力を10%削減し、データ出力時には34%の改善を達成し、パフォーマンスを維持しつつエネルギー負荷を低減しています。
ビット密度を推進する先進技術
3Dフラッシュメモリの構造の進化により、革新的な332層アーキテクチャによりビット密度を59%向上させています。この技術的飛躍はストレージスペースを最適化し、デバイスがサイズやパフォーマンスを犠牲にせずにより高い容量を提供することを可能にします。
次世代AIアプリケーションのためのイノベーション
人工知能（AI）などの先進アプリケーションの成長は、ストレージ技術の進化の重要な要因です。KIOXIAの副社長兼技術責任者であるAxel Stoermann氏は、AIアプリケーション（エッジ推論や転移学習など）によるストレージソリューションの需要の高まりを強調しました。この新しい3Dフラッシュメモリ技術は、これらのシステムの速度、容量、エネルギー効率に対する増大する要求を満たすために設計されています。
KIOXIAとSandiskの未来志向のビジョン
KIOXIAとSandiskはここで止まりません。両社はCMOSと既存メモリセルの組み合わせ（CBA）技術を活用した9世代目の次世代3Dフラッシュメモリを開発中です。このイノベーションにより、低消費電力、高性能、高効率の製品を実現し、ストレージ分野での両社のリーダーシップをさらに強化します。
「先進的なフラッシュメモリソリューションは、KIOXIAとSandiskをイノベーションのパイオニアとして位置づけ、デジタル社会の進歩を推進しています」。
これらの進歩により、KIOXIAとSandiskは顧客のニーズに適応し、デジタル技術の進歩に貢献し続け、ストレージ分野のリーダーであり続けています。