Wolfspeed produce la prima wafer di carburo di silicio da trecento millimetri

Pubblicato il 14 January 2026 | Tradotto dallo spagnolo
Oblea circular de carburo de silicio de gran diámetro sobre un soporte azul, mostrando su superficie brillante y monocristalina, con un técnico con bata blanca manipulándola en un entorno de sala limpia.

Wolfspeed produce la prima wafer di carburo di silicio da 300 mm

L'industria dei semiconduttori di potenza ha appena superato una barriera tecnica chiave. Un team di ingegneri negli Stati Uniti, guidato dall'azienda Wolfspeed, è riuscito a creare la prima wafer monocristallina di carburo di silicio (SiC) con un diametro di 300 millimetri. Questo salto dal precedente standard di 200 mm è un traguardo cruciale per produrre più componenti per ogni ciclo di lavorazione. 🚀

Perché è importante aumentare la dimensione della wafer

Produrre su wafer di diametro maggiore ottimizza radicalmente il processo. Espandendo l'area utile, si possono produrre molti più dispositivi di potenza su una singola wafer. Questo aiuta direttamente a scalare l'offerta di componenti basati su SiC, che sono vitali per settori in crescita come i veicoli elettrici e le infrastrutture di energia rinnovabile. Questi chip operano a frequenze e temperature più alte rispetto al silicio tradizionale, permettendo di progettare sistemi più compatti ed efficienti.

Vantaggi chiave del carburo di silicio:
  • Bandgap ampio: Supporta tensioni più alte e perde meno energia come calore.
  • Maggiore efficienza: Permette ai dispositivi elettronici di potenza di funzionare meglio.
  • Temperature estreme: Opera in condizioni dove il silicio normale fallirebbe.
La transizione a wafer da 300 mm rappresenta una sfida ingegneristica monumentale, poiché mantenere la qualità cristallina e l'uniformità su un diametro maggiore è estremamente complesso.

La sfida tecnologica e il contesto industriale

Raggiungere questo progresso non è stato semplice. La principale sfida è stata mantenere la qualità monocristallina e l'uniformità su un substrato da 300 mm, un processo ingegneristico molto complesso. Questo traguardo posiziona Wolfspeed all'avanguardia, sebbene altre aziende stiano anch'esse ricercando per raggiungere obiettivi simili. Lo sviluppo risponde a una domanda in crescita per elettronica di potenza più efficiente.

Confronto con l'evoluzione del silicio:
  • Questo progresso ricorda la storica transizione nell'industria del silicio, che è passata da wafer da 200 mm a 300 mm.
  • Quella transizione promise e realizzò una significativa riduzione dei costi.
  • La domanda ora è se l'industria del SiC riuscirà ad adottare questo nuovo formato con la stessa rapidità e successo.

Il futuro della produzione con Si

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