Die Unternehmen KIOXIA und Sandisk haben auf der ISSCC 2025 eine revolutionäre 3D-Flash-Speicher-Technologie vorgestellt, die neue Standards in Bezug auf Geschwindigkeit, Energieeffizienz und Bitdichte setzt. Mit einer NAND-Schnittstelle, die 4,8 Gb/s erreicht, übertrifft diese Technologie die vorherigen Versionen von 3D-Flash-Speicher bei weitem.
Ein signifikanter Sprung in Geschwindigkeit und Energieeffizienz
Der neue 3D-Flash-Speicher verbessert nicht nur die Übertragungsgeschwindigkeit, sondern optimiert auch den Energieverbrauch. Mit einer NAND-Schnittstellengeschwindigkeit von 4,8 Gb/s wird ein Anstieg von 33% im Vergleich zur achten Generation erreicht. In Bezug auf Energieeffizienz wurde der Energieverbrauch bei der Dateneingabe um 10% reduziert, während bei der DatenAusgabe eine Verbesserung von 34% erzielt wird, was Leistung mit einem geringeren Energieverbrauch ausbalanciert.
Fortschrittliche Technologie, die die Bitdichte vorantreibt
Der Fortschritt in der Architektur des 3D-Flash-Speichers ermöglicht eine Erhöhung der Bitdichte um 59%, dank seiner innovativen 332-Schichten-Architektur. Dieser technologische Sprung optimiert den Speicherplatz und ermöglicht es Geräten, höhere Kapazitäten zu bieten, ohne Größe oder Leistung zu opfern.
Innovation für die nächste Generation von KI-Anwendungen
Das Wachstum fortschrittlicher Anwendungen wie der künstlichen Intelligenz (KI) war ein entscheidender Faktor in der Evolution der Speichertechnologien. Axel Stoermann, Vizepräsident und Technologieleiter von KIOXIA, betonte, dass die Nachfrage nach Speicherlösungen durch KI-Anwendungen wie Inferenz am Edge und Transfer Learning angetrieben wird. Diese neue 3D-Flash-Speicher-Technologie ist darauf ausgelegt, den wachsenden Anforderungen an Geschwindigkeit, Kapazität und Energieeffizienz dieser Systeme gerecht zu werden.
Die zukunftsweisende Vision von KIOXIA und Sandisk
KIOXIA und Sandisk hören hier nicht auf. Beide Unternehmen entwickeln die nächste Generation des 3D-Flash-Speichers der 9. Generation, die von der CBA-Technologie (Kombination von CMOS und bestehenden Speicherzellen) profitiert. Diese Innovation ermöglicht Produkte mit niedrigem Energieverbrauch, hoher Leistung und Effizienz und festigt die Führungsposition beider Unternehmen im Speichersektor weiter.
"Fortschrittliche Flash-Speicherlösungen positionieren KIOXIA und Sandisk als Pioniere der Innovation und treiben den Fortschritt der digitalen Gesellschaft voran."
Mit diesen Fortschritten bleiben KIOXIA und Sandisk führend im Speicherbereich, passen sich den Bedürfnissen der Kunden an und tragen zum Fortschritt der digitalen Technologie bei.