美国公司NEO半导体在RAM内存领域取得重大突破，成功制造出首款基于硅基的3D X-DRAM技术功能原型。该设计通过垂直堆叠存储单元，模仿3D NAND闪存的方法，旨在提高存储密度并缓解全球内存芯片短缺问题。在经历一年缺乏资金支持后，该项目如今吸引了对其潜力感兴趣的投资者和制造商。
垂直堆叠：实现更高密度的关键 🏗️
3D X-DRAM架构利用在硅基板上垂直堆叠的存储单元层，这种技术可以在不增加芯片尺寸的情况下，成倍提高单位面积的容量。与当前平面DRAM内存不同，这种设计通过缩短互连距离，有望降低能耗和延迟。NEO半导体声称，其原型突破了水平扩展的限制，为服务器和高性能设备制造更密集、更高效的RAM模块提供了途径。
从被遗忘的项目到投资者的宠儿 🤑
有趣的是，整整一年，没人愿意为这个想法掏一分钱。投资者们大概忙着看加密货币图表，或者购买虚拟宠物公司的股票。现在他们看到原型运行正常，就争先恐后地要搭上这班车。这有点像你一直忽略的同学，直到他考了个优秀，你突然想和他做朋友。好在技术不记仇，至少看起来是这样。