公司 KIOXIA 和 Sandisk 在 ISSCC 2025 上揭晓了革命性的 3D 闪存 技术，该技术在速度、能效 和 位密度 方面确立了新标准。配备达到 4,8 Gb/s 的 NAND 接口，该技术远远超越了以往的 3D 闪存版本。
速度和能效的重大飞跃
新型 3D 闪存不仅提升了传输速度，还优化了能耗。NAND 接口速度达到 4,8 Gb/s，比第八代提高了 33%。在能效方面，数据输入能耗降低了 10%，数据输出改善了 34%，在性能与更低能耗之间实现了平衡。
推动位密度的先进技术
3D 闪存架构的进步使位密度提高了 59%，得益于其创新的 332 层架构。这一技术飞跃优化了存储空间，使设备能够在不牺牲尺寸或性能的情况下提供更高的容量。
面向下一代 AI 应用的创新
先进应用如 人工智能 (AI) 的增长是存储技术演进的关键因素。KIOXIA 副总裁兼技术总监 Axel Stoermann 强调，AI 应用（如边缘推理和迁移学习）推动了对存储解决方案的需求。这种新型 3D 闪存技术旨在满足这些系统对速度、容量和能效的日益增长需求。
KIOXIA 和 Sandisk 的前瞻愿景
KIOXIA 和 Sandisk 并未止步于此。两家公司正在开发 第九代 3D 闪存，将受益于 CBA 技术（现有 CMOS 和存储单元的组合）。这一创新将实现低功耗、高性能和高效率的产品，进一步巩固两公司在存储领域的领导地位。
“先进的闪存解决方案将 KIOXIA 和 Sandisk 定位为创新先驱，推动数字社会的进步”。
凭借这些进步，KIOXIA 和 Sandisk 继续引领存储领域，适应客户需求并推动数字技术的发展。